エラーのP/Eサイクル依存性評価

前回、P/Eサイクルを紹介しましたが、このストレスに関連して発生するエラーを測定するSigNAS3の機能について紹介します。

プログラム動作により、ワード線を共有する非選択のセル・トランジスタの閾電圧が上昇してしまう現象です。
その結果、データが正しく読み取れなくなり、エラーします。
書き換え回数の増加と共に発生確率が上昇します。

SigNAS3のError Analysis機能では、ビットエラーレートとECC後のエラーレートのP/Eサイクル依存性を測定します。
ECCの設定はGeneral Settingsで行います。(Read Data のエラー検査の回で紹介済)

Lane/Channel Settingsウインドウで接続済のLaneを選択して下さい。

下記パラメータで測定条件の設定を行います。

チップ番号(CE)を0~7で設定します。

測定を開始するブロック番号を4桁の16進数で設定(最大値FFFF)します。

測定を行うブロック数を設定します。

測定を行う際の、ブロックステップ(刻み)を設定します。
例えば、Start Blockが0010、Block#が5、Block Stepが4の時、ブロック 0010、0014、0018、001C、0020に対して測定を行います。

1ブロックあたりのProgramDisturb測定を繰り返す回数を設定します。
例えば5を設定すると、イレーズ、プログラム、リードの一連動作を5回繰り返します。

P/Eサイクルの実行回数を設定します。

P/E Cycle#で設定した回数に至るまでの間、エラーレート測定を行う間隔を設定します。
例えば、P/E Cycle#に10000、Measurement Intervalに1000を設定した場合、P/E 回数が0回、1000回、2000回、・・・9000回、10000回にてエラーレート測定を行います。

P/Eサイクル実行時に使用するブロックプログラムのパターンをSet1~5から選択設定します。
選択するとPattern Setting(以前紹介済)で設定されたパターン名が表示されます。

エラーレート測定時に使用するブロックプログラムのパターンをSet1~5から選択設定します。
選択するとPattern Setting(以前紹介した)で設定されたパターン名が表示されます。

チェックするとP/Eサイクル実施中に、NAND起因等でエラーが発生した場合、その時点で実行停止します。

リード動作の繰り返しにより、同じメモリ・セルアレイで非選択(Bit Line方向、異なるWord Line)のセル・トランジスタの閾値が上昇します。その結果、データが正しく読み取れなくなり、エラーします。
この問題は、選択されなかったセル・トランジスタをイレーズすることで解消します。

SigNAS3のError Analysis機能では、ビットエラーレートとECC後のエラーレートのP/Eサイクル依存性を測定します。
ECCの設定はGeneral Settingsで行います。(Read Data のエラー検査の回で紹介済)

Lane/Channel Settingsウインドウで接続済のLaneを選択して下さい。

下記パラメータで測定条件の設定を行います。

Normal : イレーズ、プログラム、リードの一連の動作を行います。
Read Only : リードのみを行います。

チップ番号(CE)を0~7で設定します。

測定を開始するブロック番号を4桁の16進数で設定(最大値FFFF)します。

測定を行うブロック数を設定します。

測定を行う際の、ブロックステップ(刻み)を設定します。
例えば、Start Blockが0010、Block#が5、Block Stepが4の時、ブロック 0010、0014、0018、001C、0020に対して測定を行います。

1ブロックあたりの測定を繰り返す回数を設定します。
例えば5を設定すると、Mode設定に従った一連の動作を5回繰り返します。

Readの実行回数を設定します。

ReadCycle#で設定した回数に至るまでの間、エラーレート測定を行う間隔を設定します。
例えば、Read Cycle#に10000、Measurement Intervalに1000を設定した場合、Read 回数が0回、1000回、2000回、・・・9000回、10000回にてエラーレート測定を行います。

エラーレート測定時に使用するブロックプログラムのパターンをSet1~5から選択設定します。
選択するとPattern Setting(以前紹介した)で設定されたパターン名が表示されます。

チェックするとP/Eサイクル実施中に、NAND起因等でエラーが発生した場合、その時点で実行停止します。

NAND性能、品質の指標となるBusyTime測定について以前紹介しました。
下記に、Busy TimeのP/E Cycle依存性を測定するSigNAS3のGUIの機能について紹介します。

Lane/Channel Settingsウインドウで接続済のLaneを選択して下さい。

下記パラメータで測定条件の設定を行います。

チップ番号(CE)を0~7で設定します。

測定を開始するブロック番号を4桁の16進数で設定(最大値FFFF)します。

測定を行うブロック数を設定します。

測定を行う際の、ブロックステップ(刻み)を設定します。
例えば、Start Blockが0010、Block#が5、Block Stepが4の時、ブロック 0010、0014、0018、001C、0020に対して測定を行います。

1ブロックあたりのBusy Time測定を繰り返す回数を設定します。
例えば5を設定すると、イレーズ、プログラム、リードの一連動作を5回繰り返します。

P/Eサイクルの実行回数を設定します。

P/E Cycle#で設定した回数に至るまでの間、エラーレート測定を行う間隔を設定します。
例えば、P/E Cycle#に10000、Measurement Intervalに1000を設定した場合、P/E 回数が0回、1000回、2000回、・・・9000回、10000回にてエラーレート測定を行います。

P/Eサイクル実行時に使用するブロックプログラムのパターンをSet1~5から選択設定します。
選択するとPattern Setting(以前紹介済)で設定されたパターン名が表示されます。

エラーレート測定時に使用するブロックプログラムのパターンをSet1~5から選択設定します。
選択するとPattern Setting(以前紹介した)で設定されたパターン名が表示されます。

チェックするとP/Eサイクル実施中に、NAND起因等でエラーが発生した場合、その時点で実行停止します。