エラーのP/Eサイクル依存性評価
Siglead前回、P/Eサイクルを紹介しましたが、このストレスに関連して発生するエラーを測定するSigNAS3の機能について紹介します。
Program Disturb
プログラム動作により、ワード線を共有する非選択のセル・トランジスタの閾電圧が上昇してしまう現象です。
その結果、データが正しく読み取れなくなり、エラーします。
書き換え回数の増加と共に発生確率が上昇します。
SigNAS3のError Analysis機能では、ビットエラーレートとECC後のエラーレートのP/Eサイクル依存性を測定します。
ECCの設定はGeneral Settingsで行います。（Read Data のエラー検査の回で紹介済）
Lane Select
Lane/Channel Settingsウインドウで接続済のLaneを選択して下さい。
Settings
下記パラメータで測定条件の設定を行います。
Chip
チップ番号（CE）を０～７で設定します。
Start Block
測定を開始するブロック番号を４桁の16進数で設定（最大値FFFF）します。
Block#
測定を行うブロック数を設定します。
Block Step
測定を行う際の、ブロックステップ（刻み）を設定します。
例えば、Start Blockが0010、Block#が５、Block Stepが４の時、ブロック 0010、0014、0018、001C、0020に対して測定を行います。
Repeat＃
１ブロックあたりのProgramDisturb測定を繰り返す回数を設定します。
例えば５を設定すると、イレーズ、プログラム、リードの一連動作を５回繰り返します。
P/E Cycle#
P/Eサイクルの実行回数を設定します。
Measurement Interval
P/E Cycle#で設定した回数に至るまでの間、エラーレート測定を行う間隔を設定します。
例えば、P/E Cycle#に10000、Measurement Intervalに1000を設定した場合、P/E 回数が０回、1000回、2000回、・・・9000回、10000回にてエラーレート測定を行います。
P/E Cycle Pattern
P/Eサイクル実行時に使用するブロックプログラムのパターンをSet１～5から選択設定します。
選択するとPattern Setting（以前紹介済）で設定されたパターン名が表示されます。
Block Program Pattern
エラーレート測定時に使用するブロックプログラムのパターンをSet１～5から選択設定します。
選択するとPattern Setting（以前紹介した）で設定されたパターン名が表示されます。
Terminate with NAND Fail
チェックするとP/Eサイクル実施中に、NAND起因等でエラーが発生した場合、その時点で実行停止します。
Read Disturb
リード動作の繰り返しにより、同じメモリ・セルアレイで非選択（Bit Line方向、異なるWord Line）のセル・トランジスタの閾値が上昇します。その結果、データが正しく読み取れなくなり、エラーします。
この問題は、選択されなかったセル・トランジスタをイレーズすることで解消します。
SigNAS3のError Analysis機能では、ビットエラーレートとECC後のエラーレートのP/Eサイクル依存性を測定します。
ECCの設定はGeneral Settingsで行います。（Read Data のエラー検査の回で紹介済）
Lane Select
Lane/Channel Settingsウインドウで接続済のLaneを選択して下さい。
Settings
下記パラメータで測定条件の設定を行います。
Mode
Normal : イレーズ、プログラム、リードの一連の動作を行います。
Read Only : リードのみを行います。
Chip
チップ番号（CE）を０～７で設定します。
Start Block
測定を開始するブロック番号を４桁の16進数で設定（最大値FFFF）します。
Block#
測定を行うブロック数を設定します。
Block Step
測定を行う際の、ブロックステップ（刻み）を設定します。
例えば、Start Blockが0010、Block#が５、Block Stepが４の時、ブロック 0010、0014、0018、001C、0020に対して測定を行います。
Repeat＃
１ブロックあたりの測定を繰り返す回数を設定します。
例えば５を設定すると、Mode設定に従った一連の動作を５回繰り返します。
Read Cycle#
Readの実行回数を設定します。
Measurement Interval
ReadCycle#で設定した回数に至るまでの間、エラーレート測定を行う間隔を設定します。
例えば、Read Cycle#に10000、Measurement Intervalに1000を設定した場合、Read 回数が０回、1000回、2000回、・・・9000回、10000回にてエラーレート測定を行います。
Block Program Pattern
エラーレート測定時に使用するブロックプログラムのパターンをSet１～5から選択設定します。
選択するとPattern Setting（以前紹介した）で設定されたパターン名が表示されます。
Terminate with NAND Fail
チェックするとP/Eサイクル実施中に、NAND起因等でエラーが発生した場合、その時点で実行停止します。
Busy Time Stress Profile
NAND性能、品質の指標となるBusyTime測定について以前紹介しました。
下記に、Busy TimeのP/E Cycle依存性を測定するSigNAS3のGUIの機能について紹介します。
Lane Select
Lane/Channel Settingsウインドウで接続済のLaneを選択して下さい。
Settings
下記パラメータで測定条件の設定を行います。
Chip
チップ番号（CE）を０～７で設定します。
Start Block
測定を開始するブロック番号を４桁の16進数で設定（最大値FFFF）します。
Block#
測定を行うブロック数を設定します。
Block Step
測定を行う際の、ブロックステップ（刻み）を設定します。
例えば、Start Blockが0010、Block#が５、Block Stepが４の時、ブロック 0010、0014、0018、001C、0020に対して測定を行います。
Repeat＃
１ブロックあたりのBusy Time測定を繰り返す回数を設定します。
例えば５を設定すると、イレーズ、プログラム、リードの一連動作を５回繰り返します。
P/E Cycle#
P/Eサイクルの実行回数を設定します。
Measurement Interval
P/E Cycle#で設定した回数に至るまでの間、エラーレート測定を行う間隔を設定します。
例えば、P/E Cycle#に10000、Measurement Intervalに1000を設定した場合、P/E 回数が０回、1000回、2000回、・・・9000回、10000回にてエラーレート測定を行います。
P/E Cycle Pattern
P/Eサイクル実行時に使用するブロックプログラムのパターンをSet１～5から選択設定します。
選択するとPattern Setting（以前紹介済）で設定されたパターン名が表示されます。
Block Program Pattern
エラーレート測定時に使用するブロックプログラムのパターンをSet１～5から選択設定します。
選択するとPattern Setting（以前紹介した）で設定されたパターン名が表示されます。
Terminate with NAND Fail
チェックするとP/Eサイクル実施中に、NAND起因等でエラーが発生した場合、その時点で実行停止します。
