Busy Time (Operation time)の測定

NAND Flash Memory (以下NAND)に対する各動作(Erase,Program,Read)に要する時間はBusy Time と呼ばれ、最終製品のパフォーマンスに影響を与える性能指標の一つです。

長時間使用やその他のストレスにより、その性能は変化します。

SigNAS3は、その測定機能をGUIとScriptに備えています。

先ずGUIでのBusy Time測定例を下記します。

本例の測定サンプルチップは３D-TLCです。

第20ブロックから10ブロック分の測定結果です。

X軸：Page番号、Y軸: Busy Time[μs]

Result　Monitor の表示

ProgramのBusyTime（スケール拡大）

ReadのBusyTime（スケール拡大）

上図の結果は、NANDの内部構造の特長が示されています。

ブロック構成

全エリアがTLCではなく、SLC、MLC、そしてTLCのエリアがあることが、上図の結果に現れています。

セル（ページ）構成

MLCではLowerとUpper、TLCではLower, Middle, Upper の構成となっており、それぞれのBusyTimeが明確に異なります。

MLCでは2ページ分、TLCでは3ページ分単位で、実際のProgramやReadが行われる為です。

同じ構造の各セル毎の時間の差は殆どありません。

Scriptによる測定

BusyTimeは、NANDへのコマンド(Erase,Program,Read)を発行した時に測定されます。

事前に下記コマンドのパラメータを１にして発行することで、Result Fileに保存されます。

BUSYTM、BKBSTM、CMBSTM  

各コマンドについて、BusyTime保存の対象となるコマンドは、OperationManualを参照下さい。

Script 

1. 'Busy Time Measurment
3. 'Block
4. VSET04 0 0000
5. 'Page
6. VSET04 1 0000
9. BUSYTM 1
10. BKERAS 0 $V04_00$
12. BKBSTM 1
13. BKPROG 0 $V04_00$ RDMOVL 456789AB
14. BKRDEC 0 $V04_00$ RDMOVL 456789AB
16. PGREAD 0 $V04_00$ $V04_01$

Result  File