スクリプト(Script)入門 3

GUIでは、測定対象のNAND Flash Memory(以下NAND)に関わるパラメータや条件を設定できます。

一方Scriptでも、それら殆ど全てを個別に設定可能ですので、試験中に随時設定変更して、評価を続けることができます。

Hex 4桁測定を行うChannelをビットで設定
LSB:Channel 0,   MSB:Channel 15
上図の場合は、00FF

因みにLaneの設定は、Scriptではできませんので、GUIで接続して下さい。

上図NAND Setting のパラメータは、下記コマンドで設定することができます。

Parameter

1Hex 2桁上記ベンダーから選択し、番号で設定
00Micron03Intel10Other
01Kioxia04SanDisk

02Samusung05Hynix

2Hex4桁上記NANDのタイプから選択し、番号を設定
0000SLC0004SLC_3D0011MLC_SLCMODE
0001MLC0005MLC_3D0012TLC_SLCMODE
0002TLC0006TLC_3D0015MLC_3D_SLCMODE


0007QLC_3D0016TLC_3D_SLCMODE
3Hex 2桁サブタイプ:弊社独自の制御モードのタイプを示すものです。
不明な場合は、弊社にお問い合わせ下さい。
00Type0
01Type1
02Type2
03Type3
4Hex 2桁インターフェースモード
00Asynchronous
01Synchronous
02ToggleDDR
03NV-DDR2
5Hex4桁ブロッグサイズ:1ブロックのページ数
6Hex 6桁ページサイズ:1ページのバイト数
70 or  1EDOモード


0:無効, 1:有効
8Hex 4桁ベースクロック(単位:ns)


Asynchronousモード:
10ns~500nsを1nsステップで設定


Asynchronousモード以外のモード:
5ns~250nsを1nsステップで設定
9Hex 2桁tWH


Asynchronousモード:
00:BCx1, 01:BCx2, …, 0F:BCx16


Synchronousモード: 設定不可


Toggle DDRモード, NV-DDR2モード:
00:BCx2, 01:BCx4, …, 0F:BCx32
10Hex 2桁tWP


設定方法はパラメータ9と同じ
11Hex 2桁tREH


Asynchronousモード:
00:BCx1, 01:BCx2, …, 0F:BCx16


Asynchronousモード以外のモード: 設定不可
12Hex 2桁tRP


設定方法はパラメータ11と同じ
13Hex 2桁コア電圧
(0.90Vから3.50Vまで0.05Vステップで設定)


00:0.9V, 01:0.95V, 02:1.00V, …, 32:3.40V, 33:3.45V, 34:3.50V
14Hex 2桁IO電圧(0.90Vから3.50Vまで0.05Vステップで設定)


00:0.9V, 01:0.95V, 02:1.00V, …,
32:3.40V, 33:3.45V, 34:3.50V
150 or  1プログラミング電圧Vpp


サブボードがソケット交換可能タイプの場合にのみ有効


ソケット固定タイプのサブボードは未対応


0:無効, 1:有効
160 or  1リファレンス電圧Vref


0:無効, 1:有効
170 or  1電圧設定後のNANDフラッシュメモリのリセット


0:無効, 1:有効

 尚、ソケット分離(Swappable)型ではない、一体型のサブボード(2023/5/13に紹介)の使用時はSTNDPMコマンドとSTNDVLコマンドの組合わせで、ほぼ同様な対応することが可能です。

詳細は、Operation Guideを参照下さい。

0 or 1NANDへの電圧を出力(供給)するか否か

本設定は、サブボードがソケット交換可能タイプの場合に有効です。

ソケット固定タイプのサブボードは電圧出力の制御に対応しておらず、
常に電圧を出力します。

0:停止, 1:出力

Parameter:指定したブロックを用いてリードクロック位相のキャリブレーションを行います。

1Hex 2桁Chip番号
2Hex 4桁Block番号

以上のように、個別の設定ができますのでで、電圧を変化させてその依存性を評価したり、Channel毎に異なるNANDを搭載した状態で、それぞれ別のテストを行ったりすることも可能です。

新しいNANDや、パラメータの追加が必要な場合は、弊社にお問い合わせ下さい。